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Plane MULTILED(R) 3 mm (T1) LED, Non Diffused
LSP P370, LOP P370
Besondere Merkmale farbloses, klares Gehause zur Einkopplung in Lichtleiter als optischer Indikator einsetzbar antiparallel geschaltete Leuchtdiodenchips hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED moglich bei geeigneter Ansteuerung mit IC (z.B. SDA 2231), Farbwechsel von grun uber gelb bis orange (bzw. bis super-rot) moglich q Lotspiee mit Aufsetzebene q gegurtet lieferbar q Storimpulsfest nach DIN 40839
q q q q q q
Features colorless, clear package for optical coupling into light pipes for use as optical indicator antiparallel chips high signal efficiency possible by color change of the LED with appropriate controlling by IC (e.g. SDA 2231) it is possible to change color from green to yellow and orange (resp. to super-red) q solder leads with stand-off q available taped on reel q load dump resistant acc. to DIN 40839
q q q q q q
Semiconductor Group
0
11.96
VEX06712
LSP P370, LOP P370
Typ Type
Emissionsfarbe Color of Emission super-red / pure green
Gehausefarbe Color of Package colorless clear
Lichtstrom Luminous Flux IF = 15 mA V (mlm) 6.3 16.0 25.0 40.0 16.0 6.3 16.0 25.0 16.0 ... 50 ... 32 ... 50 ... 80 ... 125 ... 50 ... 32 ... 50 ... 125
Bestellnummer Ordering Code
LSP P370-KN LSP P370-M LSP P370-N LSP P370-P LSP P370-MQ LOP P370-KN LOP P370-M LOP P370-N LOP P370-MQ
Q62703-Q2439 Q62703-Q2671 Q62703-Q2672 Q62703-Q3232 Q62703-Q2673 Q62703-Q2530 Q62703-Q2674 Q62703-Q2675 Q62703-Q2676
orange / pure green
colorless clear
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit V max / V min 2.0.1) Streuung des Lichtstromes in einer LED V max / V min 4.0.
1)
Bei MULTILED(R) bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehause die Helligkeitsgruppe der LED.
Luminous flux ratio in one packaging unit V max / V min 2.0.1) Luminous flux ratio in one LED V max / V min 4.0.
1)
In case of MULTILED(R), the brightness of the darker chip in one packaging unit determines the brightness group of the LED.
Semiconductor Group
1
LSP P370, LOP P370
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlastrom Forward current Stostrom Surge current t 10 s, D = 0.005 Verlustleistung Power dissipation TA 25 C Warmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air
1) 1)
Symbol Symbol LS, LO
Werte Values LP - 55 ... + 100 - 55 ... + 100 + 100 30 1) 0.5 - 55 ... + 100 - 55 ... + 100 + 100 40 1) 0.5
Einheit Unit C C C mA A
Top Tstg Tj IF IFM
Ptot
140
100
mW
Rth JA
400
400
K/W
Die angegebenen Grenzdaten gelten fur den Chip, fur den sie angegeben sind, unabhangig vom Betriebszustand des anderen. The stated maximum ratings refer to the specified chip, regardless of the other one's operating status.
Semiconductor Group
2
LSP P370, LOP P370
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlange des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlange Dominant wavelength IF = 20 mA Symbol Symbol LS (typ.) peak (typ.) (typ.) dom (typ.) 635 Werte Values LO 610 LP 557 nm Einheit Unit
628
605
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % rel max (typ.) Spectral bandwidth at 50 % rel max (typ.) IF = 20 mA Durchlaspannung Forward voltage IF = 15 mA Kapazitat 1) Capacitance 1) VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tp = 10 s, RL = 50
1) 1)
45
40
22
nm
(typ.) VF (max.) VF (typ.) C0
2.1 2.6 12
2.1 2.6 8
2.1 2.6 15
V V pF
(typ.) tr (typ.) tf
300 150
300 150
450 200
ns ns
Die Gesamtkapazitat ergibt sich aus der Summe der Einzelkapazitaten. The total capacitance results from the sum of the single capacitances.
Semiconductor Group
3
LSP P370, LOP P370
Relative spektrale Emission rel = f (), TA = 25 C, IF = 20 mA Relative spectral emission V () = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik rel = f () Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LSP P370, LOP P370
Durchlastrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 C
Relativer Lichtstrom V / V(15 mA) = f (IF) Relative luminous flux TA = 25 C
Zulassige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 C LS, LO
Zulassige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 C LP
Semiconductor Group
5
LSP P370, LOP P370
Maximal zulassiger Durchlastrom Max. permissible forward current IF = f (TA), LS, LO
Maximal zulassiger Durchlastrom Max. permissible forward current IF = f (TA), LP
Wellenlange der Stahlung peak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA
Dominantwellenlange dom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA
Semiconductor Group
6
LSP P370, LOP P370
Durchlaspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 15 mA
Relativer Lichtstrom V / V(25 C) = f (TA) Relative luminous flux IF = 15 mA
Semiconductor Group
7
LSP P370, LOP P370
Mazeichnung Package Outlines
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Cathode mark, pure green: Long solder lead Cathode mark, red, orange: Short solder lead
Semiconductor Group
8
GEX06816

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Price & Availability of Q62703-Q2439

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